AUIRB24427S在整个温度范围内为每个通道提供超过6A的高输出电流，用于驱动采用模块和分立封装的大尺寸IGBT和MOSFET的栅极。由于该器件在开/关模式中的输出阻抗极低，功耗也非常低，因而可以在严苛环境和高温环境中操作，比如在混合动力电动汽车的电源级作为初级侧或次级侧驱动器。                                                                                                   

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRB24427S采用简便的PSOIC-8N封装，具有超低功耗的特点，可有效驱动用于大功率开关电源的大尺寸IGBT和MOSFET，与市场上现有的分立式解决方案相比，可提供更为小巧、简便而坚固的解决方案。”

AUIRB24427S可用于耐热增强型PSOIC-8N封装，与标准的DIL SMD封装相比，它能提供更高的热耗散性能，便于在更高的环境温度里操作。另外，轨到轨输出级在高侧使用P沟道MOSFET时，可以实现内部低压差以减少功耗。在环境温度为125℃时，AUIRB24427S的最大源极/汲极输出电阻可以达到650mΩ。

产品现正接受批量订单。新款车用器件不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。

规格

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